Référence fabricant : | 8EWS08STRR | État RoHS : | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
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Fabricant / marque : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Etat du stock : | 4219 pcs Stock |
La description : | DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | 8EWS08STRR.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | 8EWS08STRR |
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Fabricant | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
La description | DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK |
État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
Quantité disponible | 4219 pcs |
Livret des spécifications | 8EWS08STRR.pdf |
Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 8A |
Tension - Ventilation | D-PAK (TO-252AA) |
Séries | - |
État RoHS | Tape & Reel (TR) |
Temps de recouvrement inverse (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Résistance @ Si, F | - |
Polarisation | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms | VS-8EWS08STRR VS-8EWS08STRR-ND VS8EWS08STRR VS8EWS08STRR-ND |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | 8EWS08STRR |
Description élargie | Diode Standard 800V 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
Configuration diode | 50µA @ 800V |
La description | DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK |
Courant - fuite, inverse à Vr | 1.1V @ 8A |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 800V |
Capacité à Vr, F | -55°C ~ 150°C |
DIODE SCHOTTKY 20V 500MA 1608
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB
DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A DPAK
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK