Référence fabricant : | SSM3J331R,LF |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Etat du stock : | 3250 pcs Stock |
La description : | MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | SSM3J331R,LF.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | SSM3J331R,LF |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description | MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 3250 pcs |
Livret des spécifications | SSM3J331R,LF.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±8V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | SOT-23F |
Séries | U-MOSVI |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-23-3 Flat Leads |
Autres noms | SSM3J331R,LF(B SSM3J331R,LF(T SSM3J331RLF SSM3J331RLF(TTR SSM3J331RLF(TTR-ND SSM3J331RLFTR SSM6J414TU,LF(A |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 4.5V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | P-Channel 20V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A (Ta) |
IC AMP CLASS D AUDIO 20WLSCP
MOSFET P-CH 20V 0.33A SSM
MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
MOSFET P-CH 20V 5.5A
IC AMP CLASS D AUDIO 20WLSCP
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A
MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM