Référence fabricant : | CRH01(TE85L,Q,M) |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Etat du stock : | 14988 pcs Stock |
La description : | DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | CRH01(TE85L,Q,M).pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | CRH01(TE85L,Q,M) |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description | DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 14988 pcs |
Livret des spécifications | CRH01(TE85L,Q,M).pdf |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 980mV @ 1A |
Tension - inverse (Vr) (max) | 200V |
Package composant fournisseur | S-FLAT (1.6x3.5) |
La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Séries | - |
Temps de recouvrement inverse (trr) | 35ns |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | SOD-123F |
Autres noms | CRH01QCT |
Température d'utilisation - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type de diode | Standard |
Description détaillée | Diode Standard 200V 1A Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) |
Courant - fuite, inverse à Vr | 10µA @ 200V |
Courant - Rectifié moyenne (Io) | 1A |
Capacité à Vr, F | - |
Numéro de pièce de base | CRH01 |
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