Référence fabricant : | IPB017N10N5LFATMA1 |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Etat du stock : | 350 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 100V D2PAK-7 |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | IPB017N10N5LFATMA1.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | IPB017N10N5LFATMA1 |
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Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
La description | MOSFET N-CH 100V D2PAK-7 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 350 pcs |
Livret des spécifications | IPB017N10N5LFATMA1.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 270µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PG-TO263-7 |
Séries | OptiMOS™-5 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 313W (Tc) |
Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Autres noms | IPB017N10N5LFATMA1DKR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 50V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | N-Channel 100V 180A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 180A (Tc) |
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
En stockMOSFET N-CH 80V 140A TO263-3
En stockMOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
En stockMOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
En stockMOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
En stockMOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
En stockMOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
En stockMOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
En stockMOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
En stockMOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
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