Référence fabricant : | IXTU01N100D | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | IXYS Corporation | Etat du stock : | 19533 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | IXTU01N100D.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | IXTU01N100D |
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Fabricant | IXYS Corporation |
La description | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 19533 pcs |
Livret des spécifications | IXTU01N100D.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 25µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-251 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 Ohm @ 50mA, 0V |
Dissipation de puissance (max) | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 25V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | Depletion Mode |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 0V |
Tension drain-source (Vdss) | 1000V |
Description détaillée | N-Channel 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Tc) |
MOSFET P-CH 100V 90A TO-268
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251
MOSFET N-CH TO-251
MOSFET N-CH 150V 96A TO-3P
MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P
MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247
MOSFET N-CH 200V 16A TO-268
MOSFET N-CH 200V 96A TO-3P