Référence fabricant : | SI4413CDY-T1-GE3 | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay | Etat du stock : | 2350 pcs Stock |
La description : | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | SI4413CDY-T1-GE3 |
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Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
La description | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 2350 pcs |
Livret des spécifications | |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 8-SO |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Autres noms | SI4413CDY-T1-GE3TR SI4413CDYT1GE3 |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 33 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | - |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | P-Channel 30V Surface Mount 8-SO |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - |
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC
IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP