Référence fabricant : | DMN6070SFCL-7 |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Diodes Incorporated |
Etat du stock : | 3250 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | DMN6070SFCL-7.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | DMN6070SFCL-7 |
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Fabricant | Diodes Incorporated |
La description | MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 3250 pcs |
Livret des spécifications | DMN6070SFCL-7.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | X1-DFN1616-6 (Type E) |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 1.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 600mW (Ta) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 6-PowerUFDFN |
Autres noms | DMN6070SFCL-7DITR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 606pF @ 20V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 60V |
Description détaillée | N-Channel 60V 3A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1616-6 (Type E) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3A (Ta) |
Numéro de pièce de base | DMN6070 |
MOSFETN-CH 60VSOT223
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333