Référence fabricant : | DMN2320UFB4-7B | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | Diodes Incorporated | Etat du stock : | 350 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3 | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | DMN2320UFB4-7B.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | DMN2320UFB4-7B |
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Fabricant | Diodes Incorporated |
La description | MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 350 pcs |
Livret des spécifications | DMN2320UFB4-7B.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | X2-DFN1006-3 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Dissipation de puissance (max) | 520mW (Ta) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 3-XFDFN |
Autres noms | DMN2320UFB4-7BDITR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 71pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.89nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | N-Channel 20V 1A (Ta) 520mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1A (Ta) |
MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN
MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN