Référence fabricant : | AS4C32M16D1-5BCN |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Alliance Memory, Inc. |
Etat du stock : | 8800 pcs Stock |
La description : | IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | AS4C32M16D1-5BCN.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | AS4C32M16D1-5BCN |
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Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
La description | IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 8800 pcs |
Livret des spécifications | AS4C32M16D1-5BCN.pdf |
Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Tension - Alimentation | 2.3 V ~ 2.7 V |
La technologie | SDRAM - DDR |
Package composant fournisseur | 60-BGA |
Séries | - |
Emballage | Tray |
Package / Boîte | 60-TFBGA |
Autres noms | 1450-1122 |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire | Volatile |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Interface mémoire | Parallel |
Format de mémoire | DRAM |
Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-BGA |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Temps d'accès | 700ps |
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA