Référence fabricant : | NSVBC114EDXV6T1G | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Etat du stock : | 45250 pcs Stock |
La description : | TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563 | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | NSVBC114EDXV6T1G.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | NSVBC114EDXV6T1G |
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Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 45250 pcs |
Livret des spécifications | NSVBC114EDXV6T1G.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | SOT-563 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Puissance - Max | 500mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | - |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
DIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75
DIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
DIODE ARRAY GP 99V 200MA SC70
DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT563
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
DIODE ARRAY GP 250V 400MA SOT23
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS NPN/PNP BIAS SOT563