Référence fabricant : | FDU044AN03L | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Etat du stock : | 5512 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | FDU044AN03L.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | FDU044AN03L |
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Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5512 pcs |
Livret des spécifications | FDU044AN03L.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | IPAK (TO-251) |
Séries | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 35A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5160pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | N-Channel 30V 21A (Ta), 35A (Tc) 160W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 21A (Ta), 35A (Tc) |
MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
MOSFET N-CH 150V 29A I-PAK
MOSFET N-CH 30V 15A I-PAK
MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK
MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
MOSFET N-CH 20V 10.7A I-PAK
MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK