Référence fabricant : | FDS6990A |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Etat du stock : | 12232 pcs Stock |
La description : | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | FDS6990A.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | FDS6990A |
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Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 12232 pcs |
Livret des spécifications | FDS6990A.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Package composant fournisseur | 8-SO |
Séries | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7.5A, 10V |
Puissance - Max | 900mW |
Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Autres noms | FDS6990ADKR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 13 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1235pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7.5A |
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
MOSFET 2 N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SO
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
MOSFET 2P-CH 30V/12V 8SOIC
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC