Référence fabricant : | FDS5170N7 | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Etat du stock : | 3984 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | FDS5170N7.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | FDS5170N7 |
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Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 3984 pcs |
Livret des spécifications | FDS5170N7.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 8-SO |
Séries | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 10.6A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 3W (Ta) |
Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Autres noms | FDS5170N7DKR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2889pF @ 30V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 60V |
Description détaillée | N-Channel 60V 10.6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10.6A (Ta) |
MOSFET N-CH
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
MOSFET N-CH 60V 8A 8-SO
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC