Référence fabricant : | FDD86252 |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Etat du stock : | 16598 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 150V 5A DPAK |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | FDD86252.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | FDD86252 |
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Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | MOSFET N-CH 150V 5A DPAK |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 16598 pcs |
Livret des spécifications | FDD86252.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | D-PAK (TO-252) |
Séries | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 5A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta), 89W (Tc) |
Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms | FDD86252DKR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 40 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 985pF @ 75V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 150V |
Description détaillée | N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5A (Ta), 27A (Tc) |
NMOS DPAK 150V 22 MOHM
MOSFET N-CH 150V 8A DPAK
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3
MOSFET N-CHANNEL 80V 90A TO252
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252
MOSFET N-CH 80V 90A DPAK