Référence fabricant : | FCPF099N65S3 |
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État RoHS : | |
Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Etat du stock : | 3093 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 650V 30A TO220F |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | FCPF099N65S3.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | FCPF099N65S3 |
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Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | MOSFET N-CH 650V 30A TO220F |
État sans plomb / État RoHS | |
Quantité disponible | 3093 pcs |
Livret des spécifications | FCPF099N65S3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3mA |
Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-220F |
Séries | SuperFET® III |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 15A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 43W (Tc) |
Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | Not Applicable |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2310pF @ 400V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 650V |
Description détaillée | N-Channel 650V 30A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
INTEGRATED CIRCUIT
MOSFET N-CH 800V 8A
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220