Référence fabricant : | EFC6601R-A-TR | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Etat du stock : | 4056 pcs Stock |
La description : | MOSFET 2N-CH EFCP | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | EFC6601R-A-TR |
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Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | MOSFET 2N-CH EFCP |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4056 pcs |
Livret des spécifications | |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Package composant fournisseur | EFCP2718-6CE-020 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Puissance - Max | 2W |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 6-XFBGA, FCBGA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Fonction FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Tension drain-source (Vdss) | - |
Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - |
MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4
NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL
MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4
MOSFET 2N-CH EFCP
INTEGRATED CIRCUIT
MOSFET 2N-CH EFCP
MOSFET 2N-CH EFCP
MOSFET 2N-CH EFCP
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
MOSFET 2 N-CHANNEL 8WLCSP