Référence fabricant : | DLN10C-AT1 | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Etat du stock : | 4673 pcs Stock |
La description : | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | DLN10C-AT1.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | DLN10C-AT1 |
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Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4673 pcs |
Livret des spécifications | DLN10C-AT1.pdf |
Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1A |
Tension - Ventilation | - |
Séries | - |
État RoHS | Tape & Reel (TR) |
Temps de recouvrement inverse (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Résistance @ Si, F | - |
Polarisation | R-1 (Axial) |
Température d'utilisation - Jonction | 35ns |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | DLN10C-AT1 |
Description élargie | Diode Standard 200V 1A Through Hole |
Configuration diode | 10µA @ 200V |
La description | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL |
Courant - fuite, inverse à Vr | 980mV @ 1A |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 200V |
Capacité à Vr, F | 150°C (Max) |
DIODE GEN PURP 150V 2A SMA
DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
DIODE SCHOTTKY 80V 1A SOD123T
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