Référence fabricant : | W94AD6KBHX5I |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Winbond Electronics Corporation |
Etat du stock : | 1906 pcs Stock |
La description : | IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | W94AD6KBHX5I.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | W94AD6KBHX5I |
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Fabricant | Winbond Electronics Corporation |
La description | IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 1906 pcs |
Livret des spécifications | W94AD6KBHX5I.pdf |
Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Tension - Alimentation | 1.7 V ~ 1.95 V |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Package composant fournisseur | 60-VFBGA (8x9) |
Séries | - |
Emballage | Tray |
Package / Boîte | 60-TFBGA |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire | Volatile |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Interface mémoire | Parallel |
Format de mémoire | DRAM |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Temps d'accès | 5ns |
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA