Référence fabricant : | W9412G6KH-5 |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Winbond Electronics Corporation |
Etat du stock : | 18853 pcs Stock |
La description : | IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | W9412G6KH-5.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | W9412G6KH-5 |
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Fabricant | Winbond Electronics Corporation |
La description | IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 18853 pcs |
Livret des spécifications | W9412G6KH-5.pdf |
Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Tension - Alimentation | 2.3 V ~ 2.7 V |
La technologie | SDRAM - DDR |
Package composant fournisseur | 66-TSOP II |
Séries | - |
Emballage | Tray |
Package / Boîte | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire | Volatile |
Taille mémoire | 128Mb (8M x 16) |
Interface mémoire | Parallel |
Format de mémoire | DRAM |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 50ns 66-TSOP II |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Temps d'accès | 50ns |
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA