Référence fabricant : | TK31V60W,LVQ | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage | Etat du stock : | 1031 pcs Stock |
La description : | MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | TK31V60W,LVQ.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | TK31V60W,LVQ |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description | MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 1031 pcs |
Livret des spécifications | TK31V60W,LVQ.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.5mA |
Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 4-DFN-EP (8x8) |
Séries | DTMOSIV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 15.4A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 240W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 4-VSFN Exposed Pad |
Autres noms | TK31V60W,LVQ(S TK31V60WLVQTR |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | Super Junction |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 600V |
Description détaillée | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 30.8A (Ta) |
MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAK
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247
MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK
MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
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En stockMOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN