Référence fabricant : | TK20N60W,S1VF |
---|---|
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Etat du stock : | 2378 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | TK20N60W,S1VF.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | TK20N60W,S1VF |
---|---|
Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 2378 pcs |
Livret des spécifications | TK20N60W,S1VF.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-247 |
Séries | DTMOSIV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 165W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-3 |
Autres noms | TK20N60W,S1VF(S TK20N60WS1VF |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 300V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 600V |
Description détaillée | N-Channel 600V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-247 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A (Ta) |
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
MOSFET P-CH 20V 76A 8SON
MOSFET N-CH 25V 32A 8SON
En stockMOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO-220
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247