Référence fabricant : | HN1B01FU-Y(L,F,T) | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage | Etat du stock : | 65830 pcs Stock |
La description : | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | HN1B01FU-Y(L,F,T).pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | HN1B01FU-Y(L,F,T) |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 65830 pcs |
Livret des spécifications | HN1B01FU-Y(L,F,T).pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Transistor Type | NPN, PNP |
Package composant fournisseur | US6 |
Séries | - |
Puissance - Max | 200mW |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Autres noms | HN1B01FU-Y(LFT)CT |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 120MHz |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 150mA |
TRANS 2NPN 50V 0.5A 6MCPH
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
TRANS NPN/PNP 30V 0.7A 6MCPH
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN
TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363-6
En stockTRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
En stockTRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74