Référence fabricant : | 2SJ360(TE12L,F) |
---|---|
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Etat du stock : | 466 pcs Stock |
La description : | MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | 2SJ360(TE12L,F)(1).pdf2SJ360(TE12L,F)(2).pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | 2SJ360(TE12L,F) |
---|---|
Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description | MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 466 pcs |
Livret des spécifications | 2SJ360(TE12L,F)(1).pdf2SJ360(TE12L,F)(2).pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PW-MINI |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 500mA, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-243AA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 155pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 60V |
Description détaillée | P-Channel 60V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1A (Ta) |
MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3
TRANSISTOR
TRANSISTOR
TRANSISTOR
TRANSISTOR
MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3
TRANSISTOR
MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P
TRANSISTOR