Référence fabricant : | S1JL RVG |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Etat du stock : | 427850 pcs Stock |
La description : | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | S1JL RVG.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | S1JL RVG |
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Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
La description | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 427850 pcs |
Livret des spécifications | S1JL RVG.pdf |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Tension - inverse (Vr) (max) | 600V |
Package composant fournisseur | Sub SMA |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Séries | - |
Temps de recouvrement inverse (trr) | 1.8µs |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | DO-219AB |
Autres noms | S1JL RVG-ND S1JLRVG |
Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 21 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type de diode | Standard |
Description détaillée | Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA |
Courant - fuite, inverse à Vr | 5µA @ 600V |
Courant - Rectifié moyenne (Io) | 1A |
Capacité à Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GP 600V 1.2A SOD-123HE
DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
TRANSISTOR PNP BIPO
DIODE GP 600V 1A SOD123F
DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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DIODE GEN PURP 600V 1A SOD323HE
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