Référence fabricant : | NP22N055SHE-E1-AY | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | Renesas Electronics America | Etat du stock : | 5721 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | NP22N055SHE-E1-AY.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | NP22N055SHE-E1-AY |
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Fabricant | Renesas Electronics America |
La description | MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5721 pcs |
Livret des spécifications | NP22N055SHE-E1-AY.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-252 (MP-3ZK) |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 11A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 1.2W (Ta), 45W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 55V |
Description détaillée | N-Channel 55V 22A (Ta) 1.2W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 22A (Ta) |
THYRISTOR 190V 150A SMB
THYRISTOR 180V 400A SMB
MOSFET N-CH 55V 22A TO-252
THYRISTOR 180V 250A SMB
THYRISTOR 180V 100A SMB
TRANSISTOR
THYRISTOR 180V 80A SMB
TRANSISTOR
THYRISTOR 180V 50A SMB
TRANSISTOR