Référence fabricant : | PDTC114TS,126 | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | NXP Semiconductors / Freescale | Etat du stock : | 5386 pcs Stock |
La description : | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | PDTC114TS,126.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | PDTC114TS,126 |
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Fabricant | NXP Semiconductors / Freescale |
La description | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5386 pcs |
Livret des spécifications | PDTC114TS,126.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | TO-92-3 |
Séries | - |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Puissance - Max | 500mW |
Emballage | Tape & Box (TB) |
Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Autres noms | 934047400126 PDTC114TS AMO PDTC114TS AMO-ND |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 1µA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | PDTC114 |
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
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