Référence fabricant : | JANS2N2222A | État RoHS : | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
---|---|---|---|
Fabricant / marque : | Microsemi | Etat du stock : | 400 pcs Stock |
La description : | TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | JANS2N2222A.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | JANS2N2222A |
---|---|
Fabricant | Microsemi |
La description | TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 |
État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
Quantité disponible | 400 pcs |
Livret des spécifications | JANS2N2222A.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Transistor Type | NPN |
Package composant fournisseur | TO-18 (TO-206AA) |
Séries | Military, MIL-PRF-19500/255 |
Puissance - Max | 500mW |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Autres noms | 1086-15156 1086-15156-MIL |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 33 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Fréquence - Transition | - |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA) |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 50nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 800mA |
OPTOISO 1KV TRANS W/BASE TO78-6
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
TRANS NPN 170V 10A TO5
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA
DIODE ZENER 68V 500MW DO213AA
DIODE ZENER 68V 500MW DO213AA
DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL
DIODE GEN PURP 125V 150MA DO213
MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A