Référence fabricant : | CSD16411Q3 |
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État RoHS : | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Texas Instruments |
Etat du stock : | 47850 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | CSD16411Q3 |
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Fabricant | |
La description | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON |
État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 47850 pcs |
Livret des spécifications | |
Tension - Test | 570pF @ 12.5V |
Tension - Ventilation | 8-VSON (3.3x3.3) |
Vgs (th) (Max) @ Id | 10 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (Max) | 4.5V, 10V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Séries | NexFET™ |
État RoHS | Tape & Reel (TR) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14A (Ta), 56A (Tc) |
Polarisation | 8-PowerVDFN |
Autres noms | 296-24255-2 CSD16411Q3/2801 CSD16411Q3/2801-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks |
Référence fabricant | CSD16411Q3 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3.8nC @ 4.5V |
type de IGBT | +16V, -12V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3V @ 250µA |
Fonction FET | N-Channel |
Description élargie | N-Channel 25V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
Tension drain-source (Vdss) | - |
La description | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 25V |
Ratio de capacité | 2.7W (Ta) |
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
MOSFET N-CH 25V 8SON
MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON
MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON