Référence fabricant : | RUF015N02TL |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
Etat du stock : | 450 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | RUF015N02TL(1).pdfRUF015N02TL(2).pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | RUF015N02TL |
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Fabricant | LAPIS Semiconductor |
La description | MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 450 pcs |
Livret des spécifications | RUF015N02TL(1).pdfRUF015N02TL(2).pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±10V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TUMT3 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max) | 800mW (Ta) |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | 3-SMD, Flat Leads |
Autres noms | RUF015N02TLCT |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | N-Channel 20V 1.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.5A (Ta) |
MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
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