Référence fabricant : | QS8M13TCR |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
Etat du stock : | 1727 pcs Stock |
La description : | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | QS8M13TCR.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | QS8M13TCR |
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Fabricant | LAPIS Semiconductor |
La description | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 1727 pcs |
Livret des spécifications | QS8M13TCR.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Package composant fournisseur | TSMT8 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6A, 10V |
Puissance - Max | 1.5W |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | 8-SMD, Flat Lead |
Autres noms | QS8M13TCRCT |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 5V |
type de FET | N and P-Channel |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 5A 1.5W Surface Mount TSMT8 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6A, 5A |
Numéro de pièce de base | *M13 |
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
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