Référence fabricant : | QS6U24TR | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor | Etat du stock : | 51483 pcs Stock |
La description : | MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | QS6U24TR(1).pdfQS6U24TR(2).pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | QS6U24TR |
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Fabricant | LAPIS Semiconductor |
La description | MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 51483 pcs |
Livret des spécifications | QS6U24TR(1).pdfQS6U24TR(2).pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TSMT6 (SC-95) |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 1A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 1.25W (Ta) |
Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Autres noms | QS6U24DKR |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 5V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | P-Channel 30V 1A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1A (Ta) |
MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
En stockMOSFET N-CH 60V 20A SO8FL
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
En stockMOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6