Référence fabricant : | DTC114EUAT106 |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
Etat du stock : | 57395 pcs Stock |
La description : | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | DTC114EUAT106(1).pdfDTC114EUAT106(2).pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | DTC114EUAT106 |
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Fabricant | LAPIS Semiconductor |
La description | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 57395 pcs |
Livret des spécifications | DTC114EUAT106(1).pdfDTC114EUAT106(2).pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | UMT3 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Puissance - Max | 200mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SC-70, SOT-323 |
Autres noms | DTC114EUAT106TR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | DTC114 |
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