Référence fabricant : | IRF8113PBF |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Etat du stock : | 360 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | IRF8113PBF.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | IRF8113PBF |
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Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
La description | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 360 pcs |
Livret des spécifications | IRF8113PBF.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 8-SO |
Séries | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 17.2A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Autres noms | SP001572234 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2910pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | N-Channel 30V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 17.2A (Ta) |
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
En stockMOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
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