Référence fabricant : | IRF7910PBF |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Etat du stock : | 404 pcs Stock |
La description : | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | IRF7910PBF.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | IRF7910PBF |
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Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
La description | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 404 pcs |
Livret des spécifications | IRF7910PBF.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Package composant fournisseur | 8-SO |
Séries | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 8A, 4.5V |
Puissance - Max | 2W |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Autres noms | SP001560068 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 6V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Tension drain-source (Vdss) | 12V |
Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10A |
Numéro de pièce de base | IRF7910PBF |
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