Référence fabricant : | IPB65R190C7ATMA2 |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Etat du stock : | 400 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH TO263-3 |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | IPB65R190C7ATMA2.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | IPB65R190C7ATMA2 |
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Fabricant | International Rectifier (Infineon Technologies) |
La description | MOSFET N-CH TO263-3 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 400 pcs |
Livret des spécifications | IPB65R190C7ATMA2.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 290µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PG-TO263-3 |
Séries | CoolMOS™ C7 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 5.7A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 72W (Tc) |
Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms | IPB65R190C7ATMA2DKR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 400V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 650V |
Description détaillée | N-Channel 650V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 13A (Tc) |
MOSFET N-CH TO263-3
En stockMOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
En stockMOSFET N-CH TO263-3
En stockMOSFET N-CH TO263-3
En stockMOSFET N-CH TO263-3
En stockMOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
En stockMOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
En stockMOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
En stockMOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263
En stockMOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
En stock