Référence fabricant : | IXFX21N100Q | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | IXYS Corporation | Etat du stock : | 1140 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | IXFX21N100Q.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | IXFX21N100Q |
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Fabricant | IXYS Corporation |
La description | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 1140 pcs |
Livret des spécifications | IXFX21N100Q.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PLUS247™-3 |
Séries | HiPerFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 10.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 500W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 1000V |
Description détaillée | N-Channel 1000V 21A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 21A (Tc) |
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
MOSFET N-CH 300V 150A TO-247
MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247