Référence fabricant : | IXFH58N20Q | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | IXYS Corporation | Etat du stock : | 5986 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | IXFH58N20Q.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | IXFH58N20Q |
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Fabricant | IXYS Corporation |
La description | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5986 pcs |
Livret des spécifications | IXFH58N20Q.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-247AD (IXFH) |
Séries | HiPerFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 29A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 200V |
Description détaillée | N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 58A (Tc) |
MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247
MOSFET N-CH 500V 52A TO247
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
MOSFET N-CH 500V 60A TO247