Référence fabricant : | IXFA180N10T2 | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | IXYS Corporation | Etat du stock : | 837 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | IXFA180N10T2.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | IXFA180N10T2 |
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Fabricant | IXYS Corporation |
La description | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 837 pcs |
Livret des spécifications | IXFA180N10T2.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-263 (IXFA) |
Séries | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 50A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 480W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 24 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 185nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | N-Channel 100V 180A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 180A (Tc) |
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
MOSFET N-CH 650V 34A TO-263
MOSFET N-CH
MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
MOSFET N-CH TO-264