Référence fabricant : | IS42SM16160E-75BLI | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | Etat du stock : | 405 pcs Stock |
La description : | IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | IS42SM16160E-75BLI.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | IS42SM16160E-75BLI |
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Fabricant | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
La description | IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 405 pcs |
Livret des spécifications | IS42SM16160E-75BLI.pdf |
Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Tension - Alimentation | 2.7 V ~ 3.6 V |
La technologie | SDRAM - Mobile |
Package composant fournisseur | 54-TFBGA (8x8) |
Séries | - |
Emballage | Tray |
Package / Boîte | 54-TFBGA |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire | Volatile |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Interface mémoire | Parallel |
Format de mémoire | DRAM |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 133MHz 6ns 54-TFBGA (8x8) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Temps d'accès | 6ns |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA