Référence fabricant : | VQ1001P-2 | État RoHS : | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
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Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay | Etat du stock : | 4259 pcs Stock |
La description : | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | VQ1001P-2.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | VQ1001P-2 |
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Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
La description | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP |
État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
Quantité disponible | 4259 pcs |
Livret des spécifications | VQ1001P-2.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Package composant fournisseur | 14-DIP |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V |
Puissance - Max | 2W |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
type de FET | 4 N-Channel |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 830mA |
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP
En stockMOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP
En stockMOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO
En stockMOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP