Référence fabricant : | SQD50N04-09H-GE3 | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
---|---|---|---|
Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay | Etat du stock : | 5123 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | SQD50N04-09H-GE3.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | SQD50N04-09H-GE3 |
---|---|
Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
La description | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5123 pcs |
Livret des spécifications | SQD50N04-09H-GE3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) |
Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms | SQD50N04-09H-GE3DKR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4240pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 40V |
Description détaillée | N-Channel 40V 50A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
MOSFET N-CH 50V 50A TO252
MOSFET N-CH 60V 50A
MOSFET N-CH 55V 30A TO252
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
MOSFET N-CH 55V 30A TO252
MOSFET N-CH 60V 40A
MOSFET N-CH 50V 50A TO252
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
MOSFET P-CHAN 100V TO252