Référence fabricant : | SI7716ADN-T1-GE3 |
---|---|
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Etat du stock : | 64115 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | SI7716ADN-T1-GE3.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | SI7716ADN-T1-GE3 |
---|---|
Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
La description | MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 64115 pcs |
Livret des spécifications | SI7716ADN-T1-GE3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 10A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | PowerPAK® 1212-8 |
Autres noms | SI7716ADN-T1-GE3CT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 27 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 846pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | N-Channel 30V 16A (Tc) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8