Référence fabricant : | SI7668ADP-T1-E3 | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay | Etat du stock : | 1948 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | SI7668ADP-T1-E3.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | SI7668ADP-T1-E3 |
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Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
La description | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 1948 pcs |
Livret des spécifications | SI7668ADP-T1-E3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 25A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | PowerPAK® SO-8 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8820pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | N-Channel 30V 40A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 40A (Tc) |
IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8