Référence fabricant : | SI4542DY-T1-E3 |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Etat du stock : | 354 pcs Stock |
La description : | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | SI4542DY-T1-E3.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | SI4542DY-T1-E3 |
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Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
La description | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 354 pcs |
Livret des spécifications | SI4542DY-T1-E3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Package composant fournisseur | 8-SO |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6.9A, 10V |
Puissance - Max | 2W |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Autres noms | SI4542DY-T1-E3CT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
type de FET | N and P-Channel |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - |
Numéro de pièce de base | SI4542 |
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC