Référence fabricant : | SI3456BDV-T1-E3 | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay | Etat du stock : | 800 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | SI3456BDV-T1-E3.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | SI3456BDV-T1-E3 |
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Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
La description | MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 800 pcs |
Livret des spécifications | SI3456BDV-T1-E3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 6-TSOP |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 6A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 1.1W (Ta) |
Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Autres noms | SI3456BDV-T1-E3DKR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | N-Channel 30V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.5A (Ta) |
MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP
MOSFET N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP
MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP
EVAL KIT FOR SI3454 POE CTLR
MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP