Référence fabricant : | SI3441BDV-T1-GE3 |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Etat du stock : | 2509 pcs Stock |
La description : | MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | SI3441BDV-T1-GE3.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | SI3441BDV-T1-GE3 |
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Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
La description | MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 2509 pcs |
Livret des spécifications | SI3441BDV-T1-GE3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 6-TSOP |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max) | 860mW (Ta) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | P-Channel 20V 2.45A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.45A (Ta) |
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6
MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP