Référence fabricant : | SI1902DL-T1-GE3 |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Etat du stock : | 3178 pcs Stock |
La description : | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6 |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | SI1902DL-T1-GE3.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | SI1902DL-T1-GE3 |
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Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
La description | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 3178 pcs |
Livret des spécifications | SI1902DL-T1-GE3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Package composant fournisseur | SC-70-6 (SOT-363) |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385 mOhm @ 660mA, 4.5V |
Puissance - Max | 270mW |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Autres noms | SI1902DL-T1-GE3CT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 33 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 660mA |
Numéro de pièce de base | SI1902 |
MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
IC LOAD SW LEVEL SHIFTER SC-70-6
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6