Référence fabricant : | SI1026X-T1-GE3 |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Etat du stock : | 911 pcs Stock |
La description : | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6 |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | SI1026X-T1-GE3.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | SI1026X-T1-GE3 |
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Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
La description | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 911 pcs |
Livret des spécifications | SI1026X-T1-GE3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Package composant fournisseur | SC-89-6 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 500mA, 10V |
Puissance - Max | 250mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
Autres noms | SI1026X-T1-GE3TR SI1026XT1GE3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 33 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Tension drain-source (Vdss) | 60V |
Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89-6 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 305mA |
Numéro de pièce de base | SI1026 |
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA
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IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA
IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA