Référence fabricant : | ZXMN10A25GTA |
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État RoHS : | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Diodes Incorporated |
Etat du stock : | 4250 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | ZXMN10A25GTA(1).pdfZXMN10A25GTA(2).pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | ZXMN10A25GTA |
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Fabricant | Diodes Incorporated |
La description | MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 |
État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4250 pcs |
Livret des spécifications | ZXMN10A25GTA(1).pdfZXMN10A25GTA(2).pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | SOT-223 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.9A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA |
Autres noms | ZXMN10A25G ZXMN10A25GTATR ZXMN10A25GTR ZXMN10A25GTR-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 20 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 859pF @ 50V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | N-Channel 100V 2.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.9A (Ta) |
MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK
MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
MOSFET N-CH SOT23-3
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
MOSFET N-CH 100V 5A DPAK
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223