Référence fabricant : | DMN2005LP4K-7 |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Diodes Incorporated |
Etat du stock : | 9250 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | DMN2005LP4K-7.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | DMN2005LP4K-7 |
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Fabricant | Diodes Incorporated |
La description | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 9250 pcs |
Livret des spécifications | DMN2005LP4K-7.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 100µA |
Vgs (Max) | ±10V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | X2-DFN1006-3 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V |
Dissipation de puissance (max) | 400mW (Ta) |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | 3-XFDFN |
Autres noms | DMN2005LP4KDICT |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 20 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 41pF @ 3V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4V |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | N-Channel 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Ta) |
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3
MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323